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分立半导体
STGWA60H65DFB参考图片

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STGWA60H65DFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
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数量单价合计
1
¥40.6461
40.6461
10
¥34.578
345.78
100
¥29.9676
2996.76
250
¥28.4308
7107.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA60H65DFB
集电极最大连续电流 Ic
80 A
高度
5.15 mm
长度
20.15 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
15.75 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
80 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGWA60H65DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diode Schottky 30V 1.5A Vf=0.46V
1:¥4.3053
10:¥2.8702
100:¥1.5933
1,000:¥1.1639
3,000:¥1.00683
参考库存:20750
分立半导体
稳压二极管 12V 5% 2W 10mA FLT LD 2.4mm x 4.7mm
1:¥5.0737
10:¥4.0228
100:¥3.1075
500:¥2.6781
1,000:¥2.1922
3,000:¥1.5933
参考库存:31527
分立半导体
稳压二极管 12V 3W
1:¥2.8476
10:¥2.1244
100:¥1.1526
1,000:¥0.86784
2,500:¥0.7458
6,000:¥0.69947
参考库存:63204
分立半导体
JFET NCH J-FET
1:¥4.1471
10:¥3.4917
100:¥2.1357
1,000:¥1.6498
3,000:¥1.4012
参考库存:38831
分立半导体
桥式整流器 0.5 Amp 200 Volt
1:¥4.6895
10:¥3.5482
100:¥2.6329
500:¥2.1696
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.6498
参考库存:22053
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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