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射频晶体管
MRF8S18210WHSR3参考图片

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MRF8S18210WHSR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 55W
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库存:40,054(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥774.6263
193656.575
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
增益
20 dB
输出功率
50 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NO-880XS-2
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1805 MHz to 1995 MHz
系列
MRF8S18210WHS
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
零件号别名
935314716128
单位重量
10 g
商品其它信息
优势价格,MRF8S18210WHSR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
暂无价格
参考库存:37871
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,097.7385
参考库存:37876
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 32 W Avg. 28 V
250:¥1,013.2936
参考库存:37881
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500:¥388.2002
参考库存:37886
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 1030MHz 1000W Gain: 8.0dB
20:¥3,610.9376
参考库存:37891
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    50万现货SKU

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