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射频晶体管
3SK291(TE85L,F)参考图片

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3SK291(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.15W 12.5V
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4.0002
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¥2.6555
26.555
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.08367
1083.67
3,000
¥0.92999
2789.97
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 mA
Vds-漏源极击穿电压
12.5 V
增益
22.5 dB
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-24-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
800 MHz
系列
3SK291
类型
RF Small Signal MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
13 mg
商品其它信息
优势价格，3SK291(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF1310HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1310HS/CFM4F///REEL 13
1:¥743.653
5:¥729.2116
10:¥705.1652
25:¥675.2654
50:¥666.0446
参考库存:36705
MS3022
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor
暂无价格
参考库存:36710
MMRF1306HR5
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
1:¥1,342.6208
5:¥1,312.6532
10:¥1,285.8383
25:¥1,266.8656
50:¥1,220.8294
参考库存:36715
CGHV96100F2
Wolfspeed / Cree
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt
暂无价格
参考库存:36720
MRF8VP13350NR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350N/FM4F///REEL 13
50:¥1,067.4658
参考库存:36725

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