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射频晶体管
BFU550AR参考图片

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BFU550AR

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
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库存:11,344(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.7685
2.7685
10
¥2.2261
22.261
100
¥1.07576
107.576
1,000
¥0.82942
829.42
3,000
¥0.70738
2122.14
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
15 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
24 V
直流电流增益 hFE 最大值
200
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
类型
Wideband RF Transistor
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
11 GHz
最大直流电集电极电流
80 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934067699215
单位重量
7.530 mg
商品其它信息
优势价格,BFU550AR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.5369
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:26917
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥848.0085
参考库存:37589
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LdmoST 120W 18 dB 860MHz
1:¥1,392.5668
5:¥1,359.0736
10:¥1,325.3318
25:¥1,306.7433
参考库存:37594
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB
1:¥376.742
10:¥352.2323
参考库存:6614
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 30-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.5dB
1:¥645.682
10:¥630.0089
参考库存:4306
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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