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射频晶体管
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D5030UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 400W-50V-175MHz SE
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50
¥2,037.4917
101874.585
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
24 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
16 dB
输出功率
400 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DR
配置
Dual
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
583 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D5030UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S260-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥773.7788
参考库存:35268
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1:¥6.5314
10:¥5.4692
100:¥3.5256
1,000:¥2.825
15,000:¥2.2035
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10:¥2.2713
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1,000:¥0.79891
3,000:¥0.68365
参考库存:35450
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1:¥4.3053
10:¥3.1979
100:¥2.0114
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:16667
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥120.7179
10:¥110.9547
25:¥106.3443
100:¥93.7448
250:¥89.1344
参考库存:2899
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    50万现货SKU

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