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射频晶体管
AFT09MS031GNR1参考图片

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AFT09MS031GNR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ13.6V
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数量单价合计
1
¥122.6389
122.6389
10
¥112.7288
1127.288
25
¥107.802
2695.05
100
¥95.2025
9520.25
500
¥82.2188
41109.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 40 V
增益
18.5 dB
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
764 MHz to 941 MHz
系列
AFT09MS031N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 12 V
零件号别名
935314738528
单位重量
548 mg
商品其它信息
优势价格,AFT09MS031GNR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
1:¥23.4362
10:¥18.8258
100:¥17.1308
250:¥15.4471
参考库存:35281
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250W 36V 1200-1400 MHz LDMOS TRANSISTOR
15:¥1,219.2926
30:¥1,202.2409
参考库存:35286
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-12.5V-1GHz PP
100:¥228.373
参考库存:35291
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.62-2.69GHz GaN 200W 48V
500:¥623.3306
参考库存:35296
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
500:¥500.5335
参考库存:35301
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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