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射频晶体管
BFP 460 H6327参考图片

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BFP 460 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
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3.5369
10
¥2.6781
26.781
100
¥1.4577
145.77
1,000
¥1.09158
1091.58
3,000
¥0.9379
2813.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP460
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.5 V
集电极连续电流
70 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
160
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
22 GHz
Pd-功率耗散
230 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP460H6327XTSA1 BFP46H6327XT SP000745276
单位重量
6.700 mg
商品其它信息
优势价格,BFP 460 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt
1:¥5,780.2099
参考库存:6825
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 7.5W-12.5V-1GHz SE
50:¥431.8408
100:¥419.9306
参考库存:40017
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T18H400W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥1,065.9968
5:¥1,045.024
10:¥996.3097
25:¥975.4047
100:¥926.6113
150:¥861.9866
参考库存:40022
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T09VD250N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
500:¥709.1541
参考库存:40027
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN
1:¥6,170.252
参考库存:40032
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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