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射频晶体管
PXAC261212FC-V1-R250参考图片

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PXAC261212FC-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:38,062(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥640.5405
160135.125
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
280 mA
Vds-漏源极击穿电压
28 V
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
增益
15 dB
输出功率
120 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
2496 MHz to 2690 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
2.6 V
商品其它信息
优势价格,PXAC261212FC-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor
25:¥1,601.9558
50:¥1,564.4624
参考库存:38133
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
暂无价格
参考库存:38138
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 60W-12.5V-175MHz PP
1:¥1,074.8334
10:¥949.1322
25:¥842.2455
50:¥798.2094
参考库存:38143
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
25:¥2,634.3012
参考库存:38148
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T23H300W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥737.664
5:¥724.1379
10:¥691.56
25:¥668.508
100:¥622.4831
150:¥570.3788
参考库存:5513
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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