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射频晶体管
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PD84002

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR transistor LdmoST plastic fam
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数量单价合计
1
¥32.8152
32.8152
10
¥27.8884
278.884
100
¥24.1255
2412.55
250
¥22.8938
5723.45
2,500
¥16.5206
41301.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
25 V
增益
13 dB
输出功率
2 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1 GHz
系列
PD84002
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
6 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
130.500 mg
商品其它信息
优势价格，PD84002的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFR 340F H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.3787
10:¥2.3617
100:¥1.09158
1,000:¥0.83733
3,000:¥0.71416
参考库存:17584
PTRA083818NF-V1-R5
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
500:¥738.2064
参考库存:36351
PTFB213004F-V2-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,097.7385
参考库存:36356
BFU580GX
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,000:¥2.2939
参考库存:12271
MRF1004MB
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥571.5314
10:¥524.433
25:¥470.645
50:¥416.857
参考库存:36363

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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