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射频晶体管
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QPD2795

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.5-2.7GHz 360W 48V Gain 22dB GaN
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1
¥1,527.1159
1527.1159
25
¥1,264.6282
31615.705
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
22 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
48 V
Id-连续漏极电流
360 mA
输出功率
364 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
83.5 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI780-2
封装
Waffle
配置
Dual
工作频率
2.5 GHz to 2.7 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.7 V
零件号别名
1130777
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1214-110M
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥3,212.3753
参考库存:34994
UF28100V
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1:¥1,137.9213
2:¥1,118.9486
5:¥1,100.5748
10:¥1,082.8338
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50:¥383.6576
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10502
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5:¥3,447.8108
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90:¥1,071.3078
参考库存:35014

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    50万现货SKU

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