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射频晶体管
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OPT3101EVM

  • Texas Instruments
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  • 光学传感器开发工具 OPT3101EVM
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1
¥1,185.3361
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
光学传感器开发工具
RoHS
否
产品
Evaluation Modules
类型
Image Sensor
工具用于评估
OPT3101
工作电源电压
3.3 V, 5 V
系列
OPT3101
商标
Texas Instruments
接口类型
USB
产品类型
Optical Sensor Development Tools
工厂包装数量
1
子类别
Development Tools
商品其它信息
优势价格，OPT3101EVM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2T23H300-24SR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T23H300-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥1,128.2372
5:¥1,103.0382
10:¥1,080.5286
25:¥1,064.5391
150:¥1,002.8411
参考库存:34665
BLF245
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥553.248
10:¥461.04
25:¥414.936
50:¥368.832
参考库存:1425
T2G6000528-Q3
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
1:¥617.7936
25:¥522.8962
100:¥442.5984
参考库存:1562
MRF8P20140WHR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4
250:¥700.0124
参考库存:34674
A2T18S166W12SR3
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S166W12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥405.6361
参考库存:34679

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