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射频晶体管
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D2294UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 15W-12.5V-500MHz SE
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
12 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
11 dB
输出功率
15 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-171-6
配置
Single
高度
7.11 mm
长度
24.77 mm
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
5.84 mm
商标
Semelab / TT Electronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
50 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D2294UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF158
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB
1:¥207.468
10:¥191.874
25:¥184.1109
50:¥176.3478
100:¥163.8952
参考库存:6362
MMRF1018NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1018N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
500:¥382.1999
参考库存:39634
A2T18S260W12NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
250:¥1,369.2097
参考库存:39639
D1029UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 350W-28V-175MHz PP
1:¥1,916.2314
10:¥1,692.0959
25:¥1,535.2632
50:¥1,439.9816
参考库存:6354
55GN01CA-TB-E
ON Semiconductor
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 SWITCHING DEVICE
1:¥3.4578
10:¥2.2374
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.56048
参考库存:50676
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