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射频晶体管
PXAC192908FV-V1-R0参考图片

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PXAC192908FV-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
50
¥1,036.2665
51813.325
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
增益
14 dB
输出功率
240 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275G-6/2
封装
Reel
工作频率
1930 MHz to 1995 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PXAC192908FV-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.9211
10:¥3.2544
100:¥1.9775
1,000:¥1.5255
3,000:¥1.3108
参考库存:16957
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
1:¥862.0657
参考库存:3519
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5
1:¥103.4289
10:¥95.0556
25:¥90.8972
100:¥80.2978
1,000:¥63.619
参考库存:6846
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
暂无价格
参考库存:35563
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 36V 1030-1090 MHz LDMOS TRANSISTOR
1:¥1,281.2279
5:¥1,250.345
10:¥1,219.2926
25:¥1,202.2409
参考库存:2203
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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