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产品分类

射频晶体管
T1G4012036-FS参考图片

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T1G4012036-FS

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18.4 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
36 V
Id-连续漏极电流
12 A
最大漏极/栅极电压
- 2.9 V
Pd-功率耗散
117 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
工作频率
3.3 GHz
产品
GaN RF Power Transistors
系列
T1G
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1096026
商品其它信息
优势价格,T1G4012036-FS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥1,289.9854
10:¥1,183.7202
25:¥1,062.313
50:¥940.9058
参考库存:1248
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥120.7179
10:¥110.9547
25:¥106.3443
100:¥93.7448
600:¥83.3714
参考库存:34615
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
1:¥544.3323
5:¥534.3431
10:¥520.5119
25:¥510.2967
参考库存:34620
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN
1:¥3.6838
10:¥2.7685
100:¥1.5029
1,000:¥1.13
3,000:¥0.97632
参考库存:23080
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥488.7024
10:¥464.2718
25:¥439.8299
50:¥415.3993
100:¥316.5808
参考库存:34627
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    科技智能大仓储

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