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射频晶体管

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MMRF1004GNR1

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1600-2200 MHz 10 W 28 V
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数量单价合计
1
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229.7516
5
¥219.6042
1098.021
10
¥211.9202
2119.202
25
¥184.9584
4623.96
500
¥159.5221
79761.05
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
封装
Cut Tape
封装
Reel
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
零件号别名
935320363528
单位重量
548 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF1007HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V
50:¥4,765.0744
参考库存:36829
2731-100M
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Transistor
20:¥2,608.492
参考库存:36834
BFU530WF
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
10,000:¥0.9379
参考库存:53399
A3T18H455W23SR6
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T18H455W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥873.7499
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MRFE6VP8600HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V
1:¥2,145.4519
5:¥2,097.5738
10:¥2,054.6225
25:¥2,024.3498
50:¥1,950.8094
参考库存:4261
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