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射频晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：	此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	14 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	1 A
输出功率	14 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	15.8 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.5 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113812

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MRF151GB	Advanced Semiconductor, Inc.	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor	15:¥929.764 25:¥899.028 50:¥726.5222 100:¥697.1648	参考库存:35670
MMRF1017NR3	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 80 W Avg. 28 V	250:¥1,181.7992	参考库存:35675
MRF134	MACOM	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB	1:¥241.8878 10:¥223.6835 25:¥214.6096 50:¥205.547	参考库存:3700
BFP405H6740XTSA1	Infineon Technologies	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR	1:¥3.5369 10:¥2.9945 100:¥1.8193 1,000:¥1.4012 3,000:¥1.1978	参考库存:17292
AFM906NT1	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFM906N/HVSON16///REEL 7 Q1 DP	1:¥18.2834 10:¥16.7466 25:¥15.2098 100:¥13.7521 1,000:¥10.2943	参考库存:11814