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射频晶体管
PXAC213308FV-V1-R2参考图片

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PXAC213308FV-V1-R2

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥1,036.2665
259066.625
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
60 mOhms
增益
16.5 dB
输出功率
320 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275G-6/2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PXAC213308FV-V1-R2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRFE6S9125NBR1
NXP / Freescale
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1:¥123.4073
10:¥113.4972
25:¥108.4235
100:¥95.824
1,000:¥75.9134
参考库存:6185
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50:¥279.3925
100:¥270.1717
250:¥265.5613
参考库存:34877
SKY65366-11-EVB
Skyworks Solutions, Inc.
射频晶体管
射频开发工具 Evaluation Board
暂无价格
参考库存:34882
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