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晶体管
TK6Q65W,S1Q参考图片

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TK6Q65W,S1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET N-Channel
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库存:27,078(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.9101
9.9101
10
¥7.91
79.1
100
¥6.0681
606.81
500
¥5.3675
2683.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
5.8 A
Rds On-漏源导通电阻
890 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
11 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
封装
Tube
高度
6.1 mm
长度
6.65 mm
系列
TK6Q65W
宽度
2.3 mm
商标
Toshiba
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
34 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,TK6Q65W,S1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
1:¥3.616
10:¥2.3843
100:¥1.4803
500:¥1.3334
3,000:¥0.83733
9,000:查看
参考库存:26769
晶体管
MOSFET NCH 1.8V DRIVE SERIES
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
3,000:¥2.7007
参考库存:7591
晶体管
MOSFET 30V N-channel Trench MOSFET
1:¥3.4578
10:¥2.4069
100:¥1.10627
1,000:¥0.85315
3,000:¥0.72207
参考库存:27723
晶体管
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp
1:¥15.9104
10:¥13.221
参考库存:4140
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
1:¥3.3787
10:¥1.6385
100:¥1.12209
500:¥0.92208
10,000:¥0.52997
参考库存:51657
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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