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晶体管
STGB3NC120HDT4参考图片

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STGB3NC120HDT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast
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数量单价合计
1
¥26.894
26.894
10
¥22.826
228.26
100
¥19.8202
1982.02
250
¥18.8258
4706.45
1,000
¥14.2154
14215.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
14 A
Pd-功率耗散
75 W
系列
STGB3NC120HD
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,STGB3NC120HDT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Xsistr
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.39211
2,000:¥0.30736
参考库存:102192
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -50V -0.15A 0.2W SOT-323; SC-70; UMT3
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:21204
晶体管
MOSFET N-Ch 700V 6A TO220FP CoolMOS CFD2
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.1642
1,000:¥5.9438
参考库存:4576
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥58.6244
10:¥52.5563
100:¥43.4146
250:¥37.7307
参考库存:4463
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA Complementary 50V NPN & PNP
1:¥1.8419
10:¥1.3108
100:¥0.54579
1,000:¥0.36838
3,000:¥0.29154
参考库存:95825
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    50万现货SKU

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    保证原装正品

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