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晶体管

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RM21N650T1

  • Rectron
  • 新批次
  • MOSFET TO-220F MOSFET
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数量单价合计
1,000
¥12.3735
12373.5
2,000
¥10.5994
21198.8
4,000
¥9.6841
38736.4
10,000
¥8.8366
88366
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Rectron
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220F-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
33.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Rectron
正向跨导 - 最小值
16 S
下降时间
4.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格,RM21N650T1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥191.7158
5:¥182.1108
10:¥177.3422
25:¥162.9799
参考库存:1389
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥1.5368
10:¥1.04525
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23843
参考库存:7861
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 80 V, 3.3 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥14.5996
500:¥12.7577
1,000:¥10.5316
参考库存:5303
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GP NPN 40V 20MA
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:5985
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGITAL TRANSISTORS 100MA 50V
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:18667
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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