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晶体管
2SD1060S-1E参考图片

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2SD1060S-1E

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 5A 50V
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数量单价合计
1
¥10.4525
10.4525
10
¥8.9157
89.157
100
¥6.8591
685.91
500
¥6.0681
3034.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
300 mV
最大直流电集电极电流
5 A
增益带宽产品fT
30 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SD1060
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
Pd-功率耗散
30 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,2SD1060S-1E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP G.P. Transistor 3 Pin
1:¥160.8216
10:¥156.9118
100:¥154.0642
250:¥148.3012
参考库存:2660
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥19.1309
10:¥17.2099
25:¥15.4471
100:¥13.8312
2,500:¥8.3733
5,000:查看
参考库存:13852
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
1:¥30.51
10:¥25.8996
100:¥22.4418
250:¥21.2892
参考库存:2564
晶体管
MOSFET N-channel 30 V, 0.0011 Ohm typ., 260 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥15.2098
10:¥12.9046
100:¥10.3734
500:¥9.0626
3,000:¥6.9721
6,000:查看
参考库存:40011
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
2,000:¥2.147
参考库存:3658
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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