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晶体管
NVATS4A101PZT4G参考图片

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NVATS4A101PZT4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET P-Chann -30 V
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库存:28,546(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.4127
54.127
100
¥3.4917
349.17
1,000
¥2.8024
2802.4
3,000
¥2.3617
7085.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
27 A
Rds On-漏源导通电阻
23 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
18.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
36 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
17 S
下降时间
70 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
9.2 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,NVATS4A101PZT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D3
晶体管
MOSFET 80 mOhm 650V Superjunction Power MOSFET in TO-247
600:¥20.2044
1,020:¥17.063
2,520:¥16.2155
5,010:¥15.594
参考库存:50779
晶体管
MOSFET 700V, 8A, 0.6 N Channel Power Mosfet
4,000:¥6.78
10,000:¥6.6444
参考库存:50784
晶体管
MOSFET Trans MOSFET N-CH 60V 22A
2,500:¥3.9211
10,000:¥3.7855
25,000:¥3.6612
参考库存:50789
晶体管
JFET JFET N-Channel Dual
62:¥115.5651
100:¥106.3443
250:¥96.9766
500:¥90.5921
参考库存:50794
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50Vcbo Trans 45Vce 5.0Vebo 100mA
18,000:¥0.40002
24,000:¥0.36838
45,000:¥0.32996
99,000:¥0.31527
参考库存:935848
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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