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晶体管
CSD85302LT参考图片

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CSD85302LT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 20V Dual N ch MOSFET
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数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.842
38.42
100
¥2.4634
246.34
250
¥2.4634
615.85
1,000
¥1.9662
1966.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
24 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
680 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.7 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.22 mm
长度
1.35 mm
系列
CSD85302L
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.35 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
99 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
54 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
173 ns
典型接通延迟时间
37 ns
单位重量
1.200 mg
商品其它信息
优势价格,CSD85302LT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V 5A
1:¥5.1528
10:¥4.2375
100:¥2.7346
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1:¥1.695
10:¥1.5594
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:90795
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 5A 50V
1:¥6.8365
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
参考库存:8762
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 48A 6MOHM
1:¥4.8364
10:¥4.0567
100:¥2.4747
1,000:¥1.9097
5,000:¥1.6272
参考库存:28834
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 61.1KOhms 250MHz
1:¥3.842
10:¥2.1922
100:¥1.2882
500:¥1.03734
3,000:¥0.66105
9,000:查看
参考库存:18336
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    50万现货SKU

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