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晶体管
HN1A01F-GR(TE85L,F参考图片

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HN1A01F-GR(TE85L,F

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A
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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥1.6724
16.724
100
¥0.71416
71.416
1,000
¥0.5537
553.7
3,000
¥0.41471
1244.13
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SM-6
晶体管极性
PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.1 V
最大直流电集电极电流
150 mA
增益带宽产品fT
80 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
系列
HN1A01
直流电流增益 hFE 最大值
400
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,HN1A01F-GR(TE85L,F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 3.2mOhm 100A
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.91
500:¥6.893
参考库存:6086
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
1:¥17.9783
10:¥15.2889
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:6958
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor NPN PNP 50V 1A
1:¥4.4522
10:¥3.2996
100:¥2.0792
1,000:¥1.5594
3,000:¥1.3334
参考库存:18720
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DVR PNP 15V 1A
1:¥3.3787
10:¥2.8476
100:¥1.7628
1,000:¥1.3786
3,000:¥1.1526
参考库存:10147
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Trans R1-R2 Switch-Relay Drvr
1:¥2.8476
10:¥2.147
100:¥1.1639
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.75258
9,000:¥0.70738
参考库存:19124
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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