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晶体管
ZTX689B参考图片

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ZTX689B

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
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数量单价合计
1
¥7.7631
7.7631
10
¥6.6557
66.557
100
¥5.1076
510.76
500
¥4.52
2260
1,000
¥3.5708
3570.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX689
直流电流增益 hFE 最大值
500 at 100 mA, 2 V
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Bulk
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
500 at 100 mA, 2 V, 400 at 2 A, 2 V, 150 at 6 A, 2 V
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,ZTX689B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Ch -20V -390mA SOT-323-3
1:¥2.7685
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.42262
参考库存:84251
晶体管
MOSFET N-channel 650 V MDMesh
1:¥62.1613
10:¥56.2514
25:¥53.6298
100:¥46.5673
参考库存:6688
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Switching Transistor PNP
1:¥5.763
10:¥4.8138
100:¥3.1075
1,000:¥2.486
3,000:¥2.1018
参考库存:36400
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast Trnch w/Ultra-Low VF Diode
1:¥53.6298
10:¥48.4883
25:¥46.1831
100:¥40.115
参考库存:5207
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 7.7A 180mOhm 13.3nC LogLv
1:¥7.3789
10:¥6.3506
100:¥4.8816
500:¥4.3053
1,000:¥3.4013
参考库存:6779
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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