NSBA123EDXV6T1G详细参数_参考价格_NSBA123EDXV6T1G PDF资料_ON Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-563-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	8
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	- 0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	357 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	NSBA123EDXV6
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	8
高度	0.55 mm
长度	1.6 mm
宽度	1.2 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	4000
子类别	Transistors
单位重量	3 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SIS488DN-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIS434DN-GE3	1:¥7.5258 10:¥6.2037 100:¥4.7573 500:¥4.0906 1,000:¥3.2318 3,000:¥3.2318	参考库存:32147
DTA015TMT2L	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors	1:¥1.5368 10:¥1.03734 100:¥0.43844 1,000:¥0.29945 8,000:¥0.20001 24,000:查看	参考库存:44209
BC850BW,135	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS LOW NOISE	1:¥1.3786 10:¥1.2995 100:¥0.46104 1,000:¥0.30736 10,000:¥0.20792 20,000:查看	参考库存:54081
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2SD2142KT146	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 DARL NPN 30V .3A	1:¥3.5369 10:¥2.6781 100:¥1.4577 1,000:¥1.09158 3,000:¥0.9379	参考库存:29500