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晶体管
IRGB4620DPBF参考图片

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IRGB4620DPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V TRENCH IGBT ULTRAFAST
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库存:3,631(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.199
25.199
10
¥21.4361
214.361
100
¥18.5207
1852.07
250
¥17.5941
4398.525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220AB-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
32 A
Pd-功率耗散
140 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
SP001537640
单位重量
5.400 g
商品其它信息
优势价格,IRGB4620DPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT DISCRETES
1:¥91.1345
10:¥83.7556
25:¥80.2978
100:¥70.7719
参考库存:4312
晶体管
MOSFET N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
1:¥10.6785
10:¥9.0626
100:¥7.006
500:¥6.1924
2,500:¥4.3392
10,000:查看
参考库存:19769
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥92.5131
10:¥85.0664
25:¥81.5295
100:¥71.8454
参考库存:2941
晶体管
MOSFET 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
3,000:¥6.2263
6,000:查看
参考库存:54663
晶体管
MOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
1:¥9.0626
10:¥7.7631
100:¥5.9777
500:¥5.2884
5,000:¥3.7064
10,000:查看
参考库存:76345
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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