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晶体管
IRGB4620DPBF参考图片

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IRGB4620DPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V TRENCH IGBT ULTRAFAST
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库存:3,631(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.199
25.199
10
¥21.4361
214.361
100
¥18.5207
1852.07
250
¥17.5941
4398.525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220AB-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
32 A
Pd-功率耗散
140 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
SP001537640
单位重量
5.400 g
商品其它信息
优势价格,IRGB4620DPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20v N ch MOSFET
1:¥3.4578
10:¥2.5312
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:123334
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 15 Watt
1:¥531.1226
参考库存:1976
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS 61V-100V
1:¥8.8366
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
1,000:¥4.0341
2,500:¥4.0341
参考库存:14143
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80 V, 1 A NPN md power transistors
1:¥2.9154
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
2,000:¥0.791
参考库存:617360
晶体管
MOSFET PT8P 40V LL PQFN56
1:¥8.5315
10:¥7.3337
100:¥5.6387
500:¥4.9833
3,000:¥3.4917
9,000:查看
参考库存:17172
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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