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晶体管
BSP129 H6906参考图片

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BSP129 H6906

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数量单价合计
1
¥7.1416
7.1416
10
¥6.1133
61.133
100
¥4.7008
470.08
500
¥4.1471
2073.55
1,000
¥3.277
3277
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
240 V
Id-连续漏极电流
350 mA
Rds On-漏源导通电阻
4.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
5.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Single
通道模式
Depletion
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
系列
BSP129
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
180 mS
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.1 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
4.4 ns
零件号别名
BSP129H6906XTSA1 SP001058586
商品其它信息
优势价格,BSP129 H6906的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL
1:¥42.3411
10:¥35.9566
100:¥31.1993
250:¥29.5834
参考库存:4255
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN+NPN SOT-563 50V VCC 0.1A IC
1:¥2.6894
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
2,500:¥0.40002
8,000:¥0.34578
参考库存:120752
晶体管
MOSFET T6 40V LL S08FL DS
1:¥16.7466
10:¥14.2154
100:¥11.3678
500:¥9.9892
1,500:¥7.6727
4,500:查看
参考库存:13789
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 7 mOhm typ., 54 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥7.8422
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
2,500:¥3.1753
10,000:查看
参考库存:27622
晶体管
IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
1:¥39.7986
10:¥33.8887
100:¥29.3574
250:¥27.8206
500:¥24.973
参考库存:9876
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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