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晶体管
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CSD16323Q3

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch NexFET Pwr MOSFET
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库存：74,501(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.0682
8.0682
10
¥6.9156
69.156
100
¥5.2997
529.97
500
¥4.6669
2333.45
2,500
¥3.277
8192.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
6.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
74 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD16323Q3
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
6.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
5.3 ns
单位重量
43.700 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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50:¥27.2782
100:¥25.5154
250:¥23.052
500:¥20.6677
参考库存:39949
JANTXV2N4449/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥177.8055
250:¥163.1268
500:¥155.2959
参考库存:39954
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Toshiba
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双极晶体管 - 预偏置 -50volts 100mA 3Pin 10Kohms x 4.7Kohms
暂无价格
参考库存:39959

  • 海量现货

    50万现货SKU

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