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晶体管
PSMN3R0-60BS,118参考图片

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PSMN3R0-60BS,118

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET Std N-chanMOSFET
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数量单价合计
1
¥20.6677
20.6677
10
¥17.5941
175.941
100
¥14.0572
1405.72
500
¥12.2944
6147.2
800
¥10.2152
8172.16
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
306 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Nexperia
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，PSMN3R0-60BS,118的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FF150R12YT3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A
1:¥388.7313
5:¥380.0529
10:¥362.6848
参考库存:33834
RJH60D0DPK-00#T0
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥27.1991
10:¥24.2837
25:¥21.8203
50:¥20.905
参考库存:33839
2N2405
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥174.4268
5:¥166.5846
10:¥161.364
25:¥148.3012
参考库存:33844
BC847A RF
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.5368
10:¥1.3786
100:¥0.90626
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.25312
参考库存:33849
D3S280N65E-T
D3
晶体管
MOSFET 280 mOhm 650V
1:¥12.5995
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.1303
800:¥5.8986
参考库存:33854

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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