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晶体管
BFP 183 E7764参考图片

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BFP 183 E7764

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.6442
26.442
100
¥0.99892
99.892
1,000
¥0.7684
768.4
3,000
¥0.58421
1752.63
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP183
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.065 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
70 at 15 mA at 8 V
高度
1 mm
长度
2.9 mm
工作频率
8 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
8000 MHz
最大直流电集电极电流
65 mA
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP183E7764HTSA1 BFP183E7764XT SP000011018
商品其它信息
优势价格,BFP 183 E7764的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 300mW
1:¥0.99892
10:¥0.94468
100:¥0.33787
1,000:¥0.22261
3,000:¥0.1695
参考库存:543873
晶体管
IGBT 晶体管 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT
1:¥68.6927
10:¥62.0822
25:¥59.1668
100:¥51.4037
参考库存:5565
晶体管
MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench
1:¥11.4469
10:¥9.7632
100:¥7.5032
500:¥6.6331
1,000:¥5.2319
2,500:¥4.9946
参考库存:31707
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15A 350V 230W NPN
1:¥45.6407
10:¥41.2676
25:¥39.3466
100:¥34.1938
参考库存:7144
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥3.4578
10:¥2.9041
100:¥1.8306
1,000:¥1.3673
2,500:¥1.1639
参考库存:60781
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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