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产品分类

晶体管
SI1317DL-T1-GE3参考图片

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SI1317DL-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC70-3
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库存:604,151(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.5538
25.538
100
¥1.7289
172.89
500
¥1.3786
689.3
1,000
¥1.03734
1037.34
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.4 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
4.3 nC
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI1
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SI1307EDL-T1-GE3
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,SI1317DL-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Nch 600V 15A Si MOSFET
1:¥18.2834
10:¥15.5262
100:¥12.4526
500:¥10.8367
1,000:¥8.9948
参考库存:9349
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
参考库存:161261
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
1:¥7.2207
10:¥6.1811
100:¥4.7573
500:¥4.2036
2,500:¥2.938
10,000:查看
参考库存:32513
晶体管
MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet
1:¥9.2999
10:¥7.9891
100:¥6.1359
500:¥5.424
1,000:¥4.2827
4,000:¥4.2827
参考库存:70995
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 45W NI270-2 FET
1:¥233.4354
5:¥223.1411
10:¥215.3102
25:¥187.8738
500:¥162.0533
参考库存:6197
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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