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晶体管
SI1317DL-T1-GE3参考图片

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SI1317DL-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC70-3
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库存:604,151(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.5538
25.538
100
¥1.7289
172.89
500
¥1.3786
689.3
1,000
¥1.03734
1037.34
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.4 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
4.3 nC
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI1
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SI1307EDL-T1-GE3
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,SI1317DL-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 4.3mOhms 100A
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.893
3,000:¥5.3223
6,000:查看
参考库存:16205
晶体管
MOSFET N-Ch, 55V-0.005ohms 80A
1:¥25.5832
10:¥21.7412
100:¥18.8258
250:¥17.8992
1,000:¥13.5261
2,000:查看
参考库存:6937
晶体管
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 2.4mOhms
1:¥20.4417
10:¥17.3681
100:¥15.0629
250:¥14.2945
500:¥12.7577
4,000:¥12.7577
参考库存:19009
晶体管
MOSFET T4S PCH 20/8V IN 1.6X1.6
1:¥6.3732
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
3,000:¥2.5538
9,000:查看
参考库存:16291
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥10.8367
10:¥8.9157
100:¥6.8817
500:¥5.9212
3,000:¥5.9212
参考库存:75108
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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