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晶体管
SIS890DN-T1-GE3参考图片

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SIS890DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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数量单价合计
1
¥10.8367
10.8367
10
¥8.9157
89.157
100
¥6.8817
688.17
500
¥5.9212
2960.6
3,000
¥5.9212
17763.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
19.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SIS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SIS890DN-GE3
商品其它信息
优势价格，SIS890DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MPSA94
Central Semiconductor
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7,500:¥1.2317
参考库存:83887
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1,500:¥7.0851
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8,000:¥1.4577
24,000:¥1.3786
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MAGX-000040-0050TP
MACOM
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双极晶体管 - 预偏置 200MW 3.3K 10K
3,000:¥0.33787
9,000:¥0.29154
24,000:¥0.27685
45,000:¥0.25312
参考库存:111736

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    50万现货SKU

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