RN49A2,LF(CT详细参数_参考价格_RN49A2,LF(CT PDF资料_Toshiba

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN, PNP
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN49
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	50 V, - 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V, - 5 V
商标	Toshiba
最大直流电集电极电流	100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	7.500 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IGB50N65H5ATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS	1:¥26.5889 10:¥22.5887 100:¥19.5942 250:¥18.5998 1,000:¥14.0572 2,000:查看	参考库存:2974
STB13N80K5	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH 800V 0.37Ohm 12A MDmesh K5	1:¥33.7305 10:¥28.6568 100:¥24.8148 250:¥23.5944 500:¥21.131 1,000:¥17.8314	参考库存:3836
FZT696BTA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain & Crnt	1:¥6.3054 10:¥5.2432 100:¥3.3787 1,000:¥2.7007	参考库存:55508
IPD35N12S3L24ATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CHANNEL 100+	1:¥9.5259 10:¥8.1473 100:¥6.2602 500:¥5.537 2,500:¥3.8759 10,000:查看	参考库存:15110
SPD08P06PGXT	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-Ch -60V -8.8A DPAK-2	1:¥6.9947 10:¥5.8082 100:¥3.7516 1,000:¥3.0058 2,500:¥2.5312	参考库存:14932