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晶体管
APT50GN120L2DQ2G参考图片

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APT50GN120L2DQ2G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
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库存:4,486(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥136.617
136.617
10
¥124.1757
1241.757
25
¥114.7967
2869.9175
50
¥108.6495
5432.475
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-264-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
134 A
Pd-功率耗散
543 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
134 A
高度
5.21 mm
长度
26.49 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
20.5 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
134 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
10.600 g
商品其它信息
优势价格,APT50GN120L2DQ2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Channel 250V AEC-Q101 Qualified
1:¥11.6842
10:¥9.605
100:¥7.3337
500:¥6.3054
2,000:¥4.6443
4,000:查看
参考库存:17366
晶体管
MOSFET PMV30XPEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/
1:¥3.1527
10:¥2.3504
100:¥1.2769
1,000:¥0.9605
3,000:¥0.82264
参考库存:270183
晶体管
MOSFET 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
1,500:¥6.2263
4,500:查看
参考库存:16930
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP PNP TRANSISTOR
1:¥2.9945
10:¥2.0453
100:¥0.85315
1,000:¥0.58421
8,000:¥0.39211
24,000:查看
参考库存:24827
晶体管
MOSFET P-Channel 80V AEC-Q101 Qualified
1:¥19.2891
10:¥16.0573
100:¥12.4526
500:¥10.8367
2,000:¥8.3733
4,000:查看
参考库存:43494
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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