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晶体管
KSD1691GSTU参考图片

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KSD1691GSTU

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库存:21,378(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.7968
37.968
100
¥2.3165
231.65
1,000
¥1.7854
1785.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
5 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSD1691
直流电流增益 hFE 最大值
200 at 2 A, 1 V
高度
11 mm
长度
8 mm
封装
Tube
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 at 2 A, 1 V
Pd-功率耗散
1300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1920
子类别
Transistors
单位重量
761 mg
商品其它信息
优势价格,KSD1691GSTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥6.3732
10:¥5.4918
100:¥4.2149
500:¥3.729
2,500:¥2.6103
10,000:查看
参考库存:12666
晶体管
MOSFET 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥5.2997
10:¥4.2601
100:¥3.2318
500:¥2.6781
3,000:¥1.9323
6,000:查看
参考库存:47313
晶体管
MOSFET PSMN2R0-25MLD/MLFPAK/REEL 7" Q
1:¥6.1472
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
1,500:¥2.2035
参考库存:14510
晶体管
MOSFET Dual N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
1:¥10.0683
10:¥8.2942
100:¥6.3393
500:¥5.4579
1,000:¥4.3053
3,000:¥4.3053
参考库存:45482
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.5-2.7GHz 360W 48V Gain 22dB GaN
1:¥1,527.1159
25:¥1,264.6282
参考库存:2114
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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