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晶体管
DMN3018SFG-7参考图片

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DMN3018SFG-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 25Vgss 1.0W 697pF
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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.825
28.25
100
¥1.5255
152.55
1,000
¥1.1413
1141.3
2,000
¥0.99101
1982.02
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
8.5 A
Rds On-漏源导通电阻
21 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
13.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN3018
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
4.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.4 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20.1 ns
典型接通延迟时间
4.3 ns
单位重量
72 mg
商品其它信息
优势价格,DMN3018SFG-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET DUAL, 50V, 280mA N-CHANNEL MOSFET
1:¥3.6838
10:¥3.0962
100:¥1.9549
1,000:¥1.4577
3,000:¥1.243
参考库存:29125
晶体管
MOSFET NCh/500V/1.3a/5.5Ohm
5,040:¥2.4747
10,080:¥2.3843
25,200:¥2.2939
参考库存:47730
晶体管
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥14.3736
10:¥12.2153
100:¥9.7632
500:¥8.5315
1,000:¥7.1077
参考库存:5597
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 40V
1:¥3.5369
10:¥2.0566
100:¥1.1978
500:¥0.97632
3,000:¥0.62263
9,000:查看
参考库存:26464
晶体管
MOSFET 20V Dual N channel MOSFET
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥3.4239
500:¥2.5086
2,500:¥1.7176
5,000:查看
参考库存:25311
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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