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晶体管
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FQP8N60C

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数量单价合计
1
¥14.3736
14.3736
10
¥12.2153
122.153
100
¥9.7632
976.32
500
¥8.5315
4265.75
1,000
¥7.1077
7107.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
7.5 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
147 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP8N60C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
8.7 S
下降时间
64.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
60.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
81 ns
典型接通延迟时间
16.5 ns
零件号别名
FQP8N60C_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FQP8N60C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥2.6103
10:¥1.7741
100:¥0.73789
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3,000:¥0.40002
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1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
2,500:¥0.95259
10,000:¥0.89157
参考库存:38923
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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