MMUN2113LT1G详细参数_参考价格_MMUN2113LT1G PDF资料_ON Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	47 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	246 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	MMUN2113L
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
高度	0.94 mm
长度	2.9 mm
宽度	1.3 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	8 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DTC015EEBTL	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors	1:¥1.2317 10:¥1.09158 100:¥0.3842 1,000:¥0.26103 3,000:¥0.20001	参考库存:27783
ZXMP3A17DN8TA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Dl 30V P-Chnl UMOS	1:¥9.5259 10:¥8.0682 100:¥6.2489 500:¥5.5257 1,000:¥4.3618	参考库存:7965
MRF172	Advanced Semiconductor, Inc.	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor	1:¥437.988 10:¥364.99 25:¥328.491 50:¥291.992	参考库存:4492
FS200R07N3E4R	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块	1:¥1,285.6914 5:¥1,254.7972 10:¥1,223.5979 25:¥1,206.4671	参考库存:4769
STP9NK90Z	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 900 Volt 8.0 A Zener SuperMESH	1:¥23.5944 10:¥20.0575 100:¥17.3681 250:¥16.4415	参考库存:8686