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晶体管
PMZ370UNEYL参考图片

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PMZ370UNEYL

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET 30V N-channel Trench MOSFET
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库存:49,345(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥1.8645
18.645
100
¥0.79891
79.891
1,000
¥0.61472
614.72
10,000
¥0.41471
4147.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-1006-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
900 mA
Rds On-漏源导通电阻
370 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
770 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
770 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.5 mm
长度
1.02 mm
产品
MOSFET
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Trench MOSFET
宽度
0.62 mm
商标
Nexperia
正向跨导 - 最小值
1580 mS
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
54 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
0.800 mg
商品其它信息
优势价格,PMZ370UNEYL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6
1:¥25.7414
10:¥21.8994
100:¥18.984
250:¥17.9783
500:¥16.1364
参考库存:3672
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IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥799.6784
5:¥784.9997
10:¥749.6533
25:¥724.6803
参考库存:2939
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1:¥21.0519
10:¥17.8314
100:¥14.2945
500:¥12.5204
1,000:¥10.3734
参考库存:5481
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:26158
晶体管
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1:¥33.1203
10:¥28.1257
100:¥24.4306
250:¥23.1311
2,000:¥16.5997
4,000:查看
参考库存:13080
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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