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晶体管
NSV1C201MZ4T1G参考图片

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NSV1C201MZ4T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V NPN LOW VCE(SAT) TRA
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数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.0341
40.341
100
¥2.4634
246.34
1,000
¥1.8984
1898.4
2,000
¥1.6159
3231.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
140 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
0.18 V
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSS1C201MZ4
直流电流增益 hFE 最大值
360
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
2 A
Pd-功率耗散
800 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,NSV1C201MZ4T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥408.0204
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2,500:¥6.6444
5,000:¥6.3958
10,000:¥6.1472
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15,000:¥0.46895
30,000:¥0.43844
45,000:¥0.39211
105,000:¥0.37629
参考库存:181498
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    50万现货SKU

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