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晶体管
DMN1260UFA-7B参考图片

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DMN1260UFA-7B

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 12V N-Ch Enh FET 8 VGS 60pF 0.92nC
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库存:65,269(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.7685
2.7685
10
¥1.8306
18.306
100
¥0.78422
78.422
1,000
¥0.60681
606.81
10,000
¥0.4068
4068
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X2-DFN0806-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
366 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
960 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN1260
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
59.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18.8 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
106.5 ns
典型接通延迟时间
7.4 ns
商品其它信息
优势价格,DMN1260UFA-7B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥14.7578
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.2208
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射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.9155
10:¥4.1132
100:¥2.6555
1,000:¥2.1244
3,000:¥2.1244
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1:¥4.7686
10:¥3.9324
100:¥2.3956
1,000:¥1.8532
2,500:¥1.582
参考库存:14813
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1:¥7.5258
参考库存:5625
晶体管
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1:¥8.4524
10:¥7.2772
100:¥5.5822
500:¥4.9381
800:¥3.8985
参考库存:6667
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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