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晶体管

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APTGT300H60G

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库存:51,985(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥1,455.4287
145542.87
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Full Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.4 V
在25 C的连续集电极电流
430 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
1.15 kW
封装 / 箱体
SP6
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGT300H60G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
1:¥3.7629
10:¥3.0849
100:¥1.8871
1,000:¥1.4577
3,000:¥1.243
参考库存:19285
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SSOT6 PNP General Purpose Amplifier
1:¥3.1527
10:¥2.3956
100:¥1.2995
1,000:¥0.97632
3,000:¥0.84524
参考库存:36417
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin
1:¥2.9154
10:¥1.9097
100:¥0.82264
1,000:¥0.63054
参考库存:27719
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥3.2318
10:¥2.2487
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
2,000:¥0.67574
参考库存:32906
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥3.5369
10:¥2.9493
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:26093
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    50万现货SKU

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