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晶体管
NSV1C301ET4G-VF01参考图片

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NSV1C301ET4G-VF01

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR XTSR 3A/100V
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数量单价合计
1
¥5.989
5.989
10
¥4.9833
49.833
100
¥3.2092
320.92
1,000
¥2.5764
2576.4
2,500
¥2.1696
5424
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
140 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.115 V
最大直流电集电极电流
6 A
增益带宽产品fT
120 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
360
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
33 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
351 mg
商品其它信息
优势价格,NSV1C301ET4G-VF01的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP50V 100mW 4.7kOhm Trans Digital BJT
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
10,000:¥0.18419
20,000:查看
参考库存:54791
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥16.2946
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.6841
1,000:¥8.0682
参考库存:9793
晶体管
MOSFET P-Ch -30V 70A DPAK-2 OptiMOS P3
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.2207
2,500:¥5.0511
10,000:查看
参考库存:17295
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor -50V USM -0.15A -0.3V
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
3,000:¥0.2147
参考库存:31527
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥16.4415
10:¥13.9894
100:¥11.1418
500:¥9.7632
1,000:¥8.1473
参考库存:9799
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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