PBLS2022D,115详细参数_参考价格_PBLS2022D,115 PDF资料_Nexperia

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TSOP-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	220
集电极—发射极最大电压 VCEO	- 20 V
集电极连续电流	- 1.8 A
峰值直流集电极电流	- 3 A
Pd-功率耗散	370 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	30
发射极 - 基极电压 VEBO	- 5 V
高度	1 mm
长度	3.1 mm
宽度	1.7 mm
商标	Nexperia
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格	AEC-Q101
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	11.200 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
JAN2N918UB/TR	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	100:¥217.6832 250:¥199.784	参考库存:41305
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STI57N65M5	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5	1:¥86.445 10:¥79.4503 25:¥76.1507 100:¥67.0768	参考库存:41322