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晶体管
RM150N60HD-T参考图片

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RM150N60HD-T

  • Rectron
  • 新批次
  • MOSFET D2-PAK MOSFET
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库存:41,310(价格仅供参考)
数量单价合计
1,600
¥6.328
10124.8
2,400
¥5.4353
13044.72
4,800
¥4.9607
23811.36
9,600
¥4.5313
43500.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Rectron
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-2
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
150 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
163 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
220 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Rectron
正向跨导 - 最小值
180 S
下降时间
39 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
91 ns
典型接通延迟时间
26 ns
商品其它信息
优势价格,RM150N60HD-T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Low Noise
1:¥3.2318
10:¥2.7007
100:¥1.695
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.08367
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双极晶体管 - 预偏置 50V 200mW NPN/PNP resistor-equip trans
1:¥2.9154
10:¥1.9436
100:¥0.81473
1,000:¥0.5537
8,000:¥0.36838
24,000:查看
参考库存:30798
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IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
1:¥295.2238
2:¥287.2234
5:¥279.2343
10:¥271.3243
参考库存:3520
晶体管
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1:¥270.635
5:¥260.0243
10:¥250.2724
25:¥229.9776
参考库存:3627
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 3A 100V
1:¥6.4523
10:¥5.3223
100:¥3.4239
1,000:¥2.7459
参考库存:10929
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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