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晶体管
2N5551TF参考图片

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2N5551TF

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
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数量单价合计
1
¥2.0001
2.0001
10
¥1.356
13.56
100
¥0.56839
56.839
1,000
¥0.3842
384.2
2,000
¥0.30736
614.72
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3 Kinked Lead
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
160 V
集电极—基极电压 VCBO
180 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.2 V
最大直流电集电极电流
0.6 A
增益带宽产品fT
300 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N5551
直流电流增益 hFE 最大值
250
高度
4.7 mm
长度
4.7 mm
封装
Cut Tape
封装
Reel
宽度
3.93 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
0.6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
Pd-功率耗散
625 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
240 mg
商品其它信息
优势价格,2N5551TF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:63097
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥283.0763
5:¥272.0136
10:¥261.7984
25:¥240.5883
参考库存:4209
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC89-3
1:¥4.2262
10:¥2.3843
100:¥1.2882
500:¥1.02152
3,000:¥0.66105
6,000:查看
参考库存:25001
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2A PNP Medium Power Transistors
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.7458
参考库存:15603
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 26mOhm4.5V 5.5A
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
3,000:¥2.2148
参考库存:15730
  • 海量现货

    50万现货SKU

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