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晶体管
SQJB40EP-T1_GE3参考图片

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SQJB40EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥9.4468
9.4468
10
¥8.3733
83.733
100
¥6.8817
688.17
500
¥5.3788
2689.4
3,000
¥3.8985
11695.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
6.3 mOhms, 6.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
35 nC, 35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
34 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SQ
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.13 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
48 S, 48 S
下降时间
15 ns, 15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns, 20 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns, 18 ns
典型接通延迟时间
7 ns, 7 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SQJB40EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.0001
10:¥1.2882
100:¥0.53788
1,000:¥0.36838
8,000:¥0.23843
24,000:查看
参考库存:100951
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Pwr Amp
1:¥46.0249
10:¥45.6407
25:¥41.5727
100:¥37.4934
250:¥34.4198
参考库存:3953
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25A 60V 200W PNP
1:¥49.7878
10:¥45.0305
50:¥42.9513
100:¥37.2674
参考库存:4935
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.5369
10:¥2.9945
100:¥1.8193
1,000:¥1.4125
3,000:¥1.2091
参考库存:32767
晶体管
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil Darl
1:¥5.2997
10:¥4.4635
100:¥2.8815
1,000:¥2.3052
2,000:¥2.0566
参考库存:9999
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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