APT100GT60JR详细参数_参考价格_APT100GT60JR PDF资料_Microsemi

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	600 V
集电极—射极饱和电压	2.1 V
在25 C的连续集电极电流	148 A
栅极—射极漏泄电流	300 nA
Pd-功率耗散	500 W
封装 / 箱体	ISOTOP-4
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	30 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
RUS100N02TB	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 1.5V Drive Nch MOSFET	1:¥13.673 10:¥11.6051 100:¥9.2999 500:¥8.1473 2,500:¥6.2602 5,000:查看	参考库存:36872
H7N1002LS-E	Renesas Electronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Channel MOSFET - LDPAK(S)-(1)	1:¥30.2727 10:¥27.0522 25:¥24.3628 50:¥23.278	参考库存:36877
DTA115TKAT146	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA	1:¥1.4577 10:¥1.2882 100:¥0.45313 1,000:¥0.30736 3,000:¥0.23052	参考库存:36882
BC847BW RF	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW	1:¥1.921 10:¥1.7628 100:¥1.1413 1,000:¥0.3842 3,000:¥0.31527	参考库存:36887
DRC2144T0L	Panasonic	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm	3,000:¥0.47686 9,000:¥0.42262 24,000:¥0.40002 45,000:¥0.34578	参考库存:36892