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晶体管
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IRG4RC10SDPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V DC-1 KHZ (STD) COPACK IGBT
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1
¥15.8313
15.8313
10
¥13.447
134.47
100
¥10.7576
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500
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1,000
¥7.7631
7763.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
14 A
Pd-功率耗散
38 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
14 A
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001545958
单位重量
350 mg
商品其它信息
优势价格，IRG4RC10SDPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STF15NM65N
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
1:¥29.7416
10:¥23.8995
100:¥21.2101
250:¥19.5942
参考库存:9027
STF24N60DM2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP package
1:¥30.51
10:¥25.8996
100:¥22.4418
250:¥21.2892
参考库存:9029
ALD310504PAL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Dual N-Ch/Dual P-Ch EPAD Matched Pair
50:¥18.5998
100:¥17.4472
250:¥15.7522
500:¥14.1363
参考库存:37496
JANSR2N2222AUB/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥736.2854
5:¥713.3012
10:¥690.2492
25:¥658.0555
参考库存:37501
RMP8N60TI
Rectron
晶体管
MOSFET TO-220F MOSFET
2,000:¥3.1301
4,000:¥2.8702
10,000:¥2.6103
24,000:¥2.5764
参考库存:37506

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    50万现货SKU

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